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【2h】

High growth rate 4H-SiC epitaxial growth using dichlorosilane in a hot-wall CVD reactor

机译：使用二氯硅烷的高生长速率4H-siC外延生长热壁CVD反应器

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作者
Chowdhury, Iftekhar; Chandrasekhar, MVS; Klein, Paul B; Caldwell, Joshua D.; Sudarshan, Tangali;
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年度 2010
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1. High growth rate 4H-SiC epitaxial growth using dichlorosilane in a hot-wall CVD reactor [J] . Iftekhar Chowdhury, M.V.S. Chandrasekhar, Paul B. Klein, Journal of Crystal Growth . 2011,第1期

机译：在热壁CVD反应器中使用二氯硅烷进行高生长速率的4H-SiC外延生长
2. High growth rates (> 30 μm/h) of 4H-SiC epitaxial layers using a horizontal hot-wall CVD reactor [J] . R.L. Myers, Y. Shishkin, O. Kordina, Journal of Crystal Growth . 2005,第4期

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机译：在垂直热壁反应器中氯化物基CVD在4H-SiC外延生长期间消除硅液滴形成
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机译：乙烯化学气相沉积法生长压力对4H-SiC衬底上生长的外延石墨烯的影响
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